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FDMS3660S Especificaciones técnicas
FDMS3660S datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 2.5W |
Base Part Number | FDMS3660S |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN SOURCE |
Power - Max | 1W |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A 60A |
Turn-Off Delay Time | 19 ns |
Threshold Voltage | 1.5V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 13A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Nominal Vgs | 1.5 V |
Height | 1.1mm |
Width | 5.9mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Weight | 171mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2009 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | FLAT |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 7.7 ns |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8m Ω @ 13A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 30A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Feedback Cap-Max (Crss) | 70 pF |
Length | 5mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDMS3660S Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDMS3660S
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDMS3" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDMS3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDMS3006SDC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3171 |
FDMS3006SDC | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 24454 |
FDMS3006SDC | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDMS3006SDC MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 280 |
FDMS3008SDC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2553 |
FDMS3008SDC | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2531 |
FDMS3008SDC | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDMS3008SDC MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 24573 |
FDMS3012S | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 5999 |
FDMS3016DC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2776 |
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