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FDME510PZT Especificaciones técnicas
FDME510PZT datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-PowerUFDFN |
Weight | 30mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | ESD PROTECTION |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | S-PDSO-N3 |
Power Dissipation-Max | 2.1W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37m Ω @ 6A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1490pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Vgs (Max) | ±8V |
Turn-Off Delay Time | 93 ns |
Threshold Voltage | -500mV |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6A |
Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
Height | 500μm |
Width | 1.6mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e4 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Position | DUAL |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 1.4W |
Turn On Delay Time | 6.5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A Ta |
Rise Time | 10ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 1.5V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 54 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 6A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.037Ohm |
Nominal Vgs | -500 mV |
Length | 1.6mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDME510PZT Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDME510PZT
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDME5" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDME5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDME510PZT | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4280 |
FDME510PZT | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4280 |
FDME510PZT MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1495 |
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