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FDMC86102L Especificaciones técnicas
FDMC86102L datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerWDFN |
Weight | 165.33333mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
JESD-609 Code | e4 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Resistance | 24MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 41W |
Turn On Delay Time | 7.7 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A Ta 18A Tc |
Rise Time | 2.2ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 19 ns |
Threshold Voltage | 1.8V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 7A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 30A |
Height | 750μm |
Width | 3.3mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | S-PDSO-N5 |
Power Dissipation-Max | 2.3W Ta 41W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23m Ω @ 7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 2.4 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 18A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 63 mJ |
Length | 3.3mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDMC86102L Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDMC86102L
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDMC8" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDMC8'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDMC8010 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 15978 |
FDMC8010 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 156123 |
FDMC8010 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDMC8010 IC | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 643 |
FDMC8010 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 12716 |
FDMC8010A | FSC | CIs Calientes Especializados | 10451 |
FDMC8010A | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
FDMC8010DC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18210 |
FDMC8010DC | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDMC8010ET30 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2839 |
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