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FDI150N10 Especificaciones técnicas

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series PowerTrench®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Power Dissipation-Max 110W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 47 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A Tc
Rise Time 164ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 86 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 228A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Weight 2.084g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 110W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16m Ω @ 49A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4760pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 83 ns
Continuous Drain Current (ID) 57A
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Radiation Hardening No
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Otros incluyen   "FDI15"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDI15' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDI150N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2571
FDI150N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2786

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