FDH45N50F-F133 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 45A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series UniFET™
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Vgs (Max) ±30V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 45A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 180A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1868 mJ
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 625W Tc
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120m Ω @ 22.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6630pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 137nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
JEDEC-95 Code TO-247AD
Drain-source On Resistance-Max 0.12Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 500V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDH45N50F FAIRCHI CIs Calientes Especializados 1340
FDH45N50F-F133 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2717
FDH45N50F_F133 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2753

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