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FDD8878 Especificaciones técnicas
FDD8878 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 30V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 40W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15m Ω @ 35A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 27 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 40A |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2005 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 40A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 40W |
Turn On Delay Time | 7 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A Ta 40A Tc |
Rise Time | 79ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 38 ns |
Threshold Voltage | 1.2V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 25 mJ |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDD8878 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDD8878
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDD88" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDD88'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDD8870 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1345 |
FDD8870 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 107060 |
FDD8870 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDD8870 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 352 |
FDD8870-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
FDD8870_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 21348 |
FDD8874 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18330 |
FDD8874 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDD8874 IC | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2254 |
FDD8874 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 415 |
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