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FDD86102LZ Especificaciones técnicas
FDD86102LZ datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 3.1W Ta 54W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5m Ω @ 8A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1540pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 2.3 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 8A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0225Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 40A |
Nominal Vgs | 1.5 V |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 54W |
Turn On Delay Time | 6.6 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A Ta 35A Tc |
Rise Time | 2.3ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Threshold Voltage | 1.5V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 8A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 84 mJ |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
FDD86102LZ Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDD86102LZ
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDD86" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDD86'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDD86102 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 57085 |
FDD86102 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10408 |
FDD86102 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDD86102 IC | FCS | CIs Calientes Especializados | 1816 |
FDD86102 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 12877 |
FDD86102LZ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 60134 |
FDD86102LZ | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5288 |
FDD86102LZ FDD86102 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 6400 |
FDD86102LZ MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 582 |
FDD86104 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 8200 |
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