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FDD306P Especificaciones técnicas
FDD306P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | -6.7A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 52W |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A Ta |
Rise Time | 8ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 1.8V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 41 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 6.7A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 54A |
Nominal Vgs | -500 mV |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2005 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 90MOhm |
Voltage - Rated DC | -12V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 52W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28m Ω @ 6.7A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 6V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Vgs (Max) | ±8V |
Turn-Off Delay Time | 34 ns |
Threshold Voltage | -500mV |
Drain to Source Breakdown Voltage | -12V |
Dual Supply Voltage | -12V |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDD306P Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDD306P
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDD30" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDD30'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDD300004 | Diodes Incorporated | Osciladores | 2688 |
FDD3055 | F | CIs Calientes Especializados | 32363 |
FDD3055L | TO-252 | CIs Calientes Especializados | 2584 |
FDD3055L-NL | TO-252 | CIs Calientes Especializados | 2617 |
FDD306P | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 57242 |
FDD306P | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5416 |
FDD306P MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1309 |
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