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FDD10AN06A0-F085
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FDD10AN06A0-F085 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 42 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 135W |
Turn On Delay Time | 8 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A Ta |
Rise Time | 79ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 32 ns |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 50A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 429 mJ |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Series | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 135W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5m Ω @ 50A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 32 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 11A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDD10AN06A0-F085 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDD10AN06A0-F085
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDD10" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDD10'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDD1020C | Original | CIs Calientes Especializados | 32363 |
FDD107AN06LA0 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 60023 |
FDD107AN06LA0 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 60023 |
FDD107AN06LA0 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 12382 |
FDD107AN06LA0-NL | F | CIs Calientes Especializados | 42363 |
FDD107AN06LAO | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 32363 |
FDD10AN06 | FSC | CIs Calientes Especializados | 499 |
FDD10AN06A | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1300 |
FDD10AN06A0 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 80908 |
FDD10AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 80908 |
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