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FDC6401N Especificaciones técnicas
FDC6401N datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 70MOhm |
Voltage - Rated DC | 20V |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 960mW |
Power - Max | 700mW |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
Fall Time (Typ) | 1.6 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 20V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
FET Feature | Standard |
Height | 1.1mm |
Width | 1.7mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Weight | 36mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2017 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Max Power Dissipation | 960mW |
Current Rating | 3A |
Number of Channels | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 5 ns |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70m Ω @ 3A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 10V |
Rise Time | 7ns |
Turn-Off Delay Time | 13 ns |
Threshold Voltage | 900mV |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 3A |
Dual Supply Voltage | 20V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Nominal Vgs | 900 mV |
Length | 3mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDC6401N Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDC6401N
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDC64" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDC64'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDC6401N | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 5309 |
FDC6401N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 80221 |
FDC6401N-NL | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 15000 |
FDC640P | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9356 |
FDC640P | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 314054 |
FDC640P | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDC640P MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3387 |
FDC640P-NL | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 324 |
FDC640P_F095 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2741 |
FDC640P_F095 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2584 |
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