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FDC30N20DZ Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31m Ω @ 4.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 535pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
JEDEC-95 Code MO-193AA
Drain-source On Resistance-Max 0.031Ohm
Feedback Cap-Max (Crss) 30 pF
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Weight 36mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Power Dissipation-Max 960mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4.6A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "FDC30"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDC30' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDC301 xx CIs Calientes Especializados 3364
FDC304P FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 5470
FDC306P FSC CIs Calientes Especializados 4800
FDC30N20DZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 60000
FDC30N20DZ-NL FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 3029

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