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FDB9503L-F085 Especificaciones técnicas

PowerTrench MOSFET P-Channel 40 V - 110 A 2.6m Ohm 3-Pin TO-263AB T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 52 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8320pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 110A
DS Breakdown Voltage-Min 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 333W Tj
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±16V
Drain-source On Resistance-Max 0.0026Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 984 mJ
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDB9503L-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2695
FDB9506L-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2782

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