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FDB8880 Especificaciones técnicas
FDB8880 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 54A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 55W |
Turn On Delay Time | 8 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A Ta 54A Tc |
Rise Time | 107ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 47 ns |
Threshold Voltage | 2.5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Height | 4.83mm |
Width | 11.33mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2005 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 30V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 55W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6m Ω @ 40A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 51 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 54A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Nominal Vgs | 2.5 V |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
FDB8880 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDB8880
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDB88" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDB88'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDB8832 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18991 |
FDB8832 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 452 |
FDB8832 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB8832 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 18247 |
FDB8832-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2518 |
FDB8832_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10298 |
FDB8860 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 28579 |
FDB8860 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 28579 |
FDB8860 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB8860 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 17658 |
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