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FDB86569-F085 Especificaciones técnicas

MOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Part Status Active
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 94W Tj
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2520pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 80A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Weight 1.31247g
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Reach Compliance Code not_compliant
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDB86102L Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 587
FDB86102LZ Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 27078
FDB86102LZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 27078
FDB86102LZ ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB86102LZ MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 1376
FDB86135 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22126
FDB86135 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 500
FDB86135 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB86135 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 17277
FDB86360 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 389

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