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FDB2614 Especificaciones técnicas
FDB2614 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 7 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 2 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 27MOhm |
Voltage - Rated DC | 200V |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 260W |
Turn On Delay Time | 77 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27m Ω @ 31A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7230pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 99nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 162 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 62A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Dual Supply Voltage | 200V |
Height | 4.83mm |
Width | 11.33mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Current Rating | 62A |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 260W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 62A Tc |
Rise Time | 284ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 103 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.67mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDB2614 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDB2614
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDB26" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDB26'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDB2614 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1241 |
FDB2614 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 42506 |
FDB2614 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 705 |
FDB2670 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 28183 |
FDB2670 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 715 |
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