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FDB15N50 Especificaciones técnicas
FDB15N50 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 380mOhm |
Voltage - Rated DC | 500V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380m Ω @ 7.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 15A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 60A |
Nominal Vgs | 3.4 V |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2003 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 15A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 300W |
Turn On Delay Time | 9 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A Tc |
Rise Time | 5.4ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 26 ns |
Threshold Voltage | 3.4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 500V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 760 mJ |
Height | 4.83mm |
Width | 11.33mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDB15N50 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDB15N50
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDB15" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDB15'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDB150N10 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 37056 |
FDB150N10 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 37056 |
FDB150N10 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB150N10 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 18228 |
FDB15N50 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10251 |
FDB15N50 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 31135 |
FDB15N50 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 952 |
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