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FDB075N15A-F085 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 33 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5m Ω @ 80A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5595pF @ 75V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 25 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 110A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0075Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 502 mJ |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 333W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 33 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A Tc |
Rise Time | 46ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 76 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 150V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDB075N15A-F085 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDB075N15A-F085
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDB07" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDB07'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDB070AN06A0 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 28251 |
FDB070AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 28251 |
FDB070AN06A0 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB070AN06A0 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 8030 |
FDB070AN06A0-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 570 |
FDB070AN06A0-F085 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB070AN06A0_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2796 |
FDB070AN06AO | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 651 |
FDB070AN06_F085 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 14013 |
FDB075N15A | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 23273 |
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