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FCP650N80Z Especificaciones técnicas
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP650N80Z Power MOSFET, N Channel, 10 A, 800 V, 0.53 ohm, 10 V, 4.5 VNew
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Weight | 1.8g |
Packaging | Tube |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Power Dissipation-Max | 162W Tc |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 800μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Vgs (Max) | ±20V |
Threshold Voltage | 4.5V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | SuperFET® II |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Element Configuration | Single |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650m Ω @ 4A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1565pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 10A |
REACH SVHC | No SVHC |
FCP650N80Z Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FCP650N80Z
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FCP65" partes
Las siguientes partes incluyen 'FCP65'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FCP650N80Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2768 |
FCP650N80Z | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2706 |
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