FCD900N60Z Especificaciones técnicas

FCD900N60Z datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 52W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900m Ω @ 2.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 33.6 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain-source On Resistance-Max 0.9Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 47.5 mJ
Length 6.73mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series SuperFET® II
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Base Part Number FCD900N60
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2W
Turn On Delay Time 10.9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A Tc
Rise Time 5.2ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 11.9 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 650V
Height 6.22mm
Width 2.39mm
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCD900N60Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20529
FCD900N60Z Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15168
FCD900N60Z IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 463
FCD900N60Z MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 18417
FCD900N60ZM FSC CIs Calientes Especializados 2970

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