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FCB110N65F Especificaciones técnicas
FCB110N65F datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | FRFET®, SuperFET® II |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 357W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 31 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 3.5mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A Tc |
Rise Time | 21ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 5.7 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 35A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.11Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 650V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 245 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110m Ω @ 17.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4895pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 89 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 105A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 809 mJ |
FCB110N65F Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FCB110N65F
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FCB11" partes
Las siguientes partes incluyen 'FCB11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FCB110N65F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 33393 |
FCB110N65F | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 551 |
FCB110N65F MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 502 |
FCB11N60 | FSC | CIs Calientes Especializados | 18736 |
FCB11N60 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 366 |
FCB11N60F | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 32363 |
FCB11N60FTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 37378 |
FCB11N60FTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 37378 |
FCB11N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1623 |
FCB11N60TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 39421 |
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