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FCA35N60 Especificaciones técnicas
FCA35N60 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Weight | 6.401g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 312.5W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98m Ω @ 17.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6640pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 181nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 105 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.098Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 105A |
Height | 20.1mm |
Width | 5mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | SuperFET™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 312.5W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 34 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A Tc |
Rise Time | 120ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 73 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 35A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 650V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 1455 mJ |
Length | 15.8mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FCA35N60 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FCA35N60
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FCA35" partes
Las siguientes partes incluyen 'FCA35'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FCA35N60 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9454 |
FCA35N60 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3864 |
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