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DTC115EM3T5G Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 260mW |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | 100mA |
Base Part Number | DTC115 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | 100mA |
Height | 550μm |
Width | 850μm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Package / Case | SOT-723 |
Number of Pins | 3 |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 260mW |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Collector Emitter Saturation Voltage | 250mV |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
Resistor - Base (R1) | 100 k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 k Ω |
Length | 1.25mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
DTC115EM3T5G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para DTC115EM3T5G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "DTC11" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTC11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTC113EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2783 |
DTC113EET1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTC113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2685 |
DTC113EM3T5G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTC113ZCA | Original | CIs Calientes Especializados | 110632 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2598 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Co | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTC113ZCAHZGT116 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2646 |
DTC113ZCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTC113ZCAT116 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 110600 |
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