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BVSS84LT1G Especificaciones técnicas

BVSS84LT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 1.437803g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 3
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 225mW
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 225mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 3.6 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ω @ 100mA, 5V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130mA Ta
Rise Time 9.7ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V
Fall Time (Typ) 1.7 ns
Continuous Drain Current (ID) 130mA
Drain to Source Breakdown Voltage -50V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BVSS84LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1111

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