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BD809G Especificaciones técnicas

BD809G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 90W
Current Rating 10A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Power Dissipation 90W
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 80V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 4A 2V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.1V
Collector Base Voltage (VCBO) 80V
hFE Min 30
Length 10.28mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 80V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 1.5MHz
Pin Count 3
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 1.5MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA ICBO
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.1V @ 300mA, 3A
Transition Frequency 1.5MHz
Max Breakdown Voltage 80V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 15.75mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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BD809G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1205

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