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BD537J Especificaciones técnicas

BD537J datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 50W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 2A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Obsolete
Base Part Number BD537
Transistor Type NPN
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Frequency - Transition 12MHz
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Otros incluyen   "BD537"   partes

Las siguientes partes incluyen  'BD537' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BD537 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2616
BD537-K Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 856
BD537J AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
BD537J Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2740
BD537K AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2650
BD537K Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2618
BD537K ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD537KTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2619
BD537KTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2646
BD537KTU ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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