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BC849CLT1G Especificaciones técnicas
BC849CLT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 300mW |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 100mA |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 300mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 30V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Transition Frequency | 100MHz |
Max Breakdown Voltage | 30V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Height | 940μm |
Width | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Number of Pins | 3 |
Manufacturer Package Identifier | SOT−23 (TO−236) CASE 318−08 ISSUE AR |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 30V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 100MHz |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Gain Bandwidth Product | 100MHz |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 30V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 600mV |
Collector Base Voltage (VCBO) | 30V |
hFE Min | 420 |
Length | 2.9mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
BC849CLT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BC849CLT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BC849" partes
Las siguientes partes incluyen 'BC849'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BC849 | ST | CIs Calientes Especializados | 27268 |
BC849-B-RTK | KEC | CIs Calientes Especializados | 81341 |
BC849-C-MTF | SAMSUNG | CIs Calientes Especializados | 15309 |
BC849AMTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 36200 |
BC849AMTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 9326 |
BC849AMTF | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
BC849AW RFG | TSC (Taiwan Semiconductor) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2654 |
BC849B | NXP | CIs Calientes Especializados | 49400 |
BC849B E6327 | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 3000 |
BC849B,215 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3000 |
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