BC847BPDW1T3G Especificaciones técnicas

ON Semi BC847BPDW1T3G PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 6-Pin SOT-363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
Part Status Active
Max Power Dissipation 380mW
Base Part Number BC847BPD
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Halogen Free Halogen Free
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 45V
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 150
Length 2.2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency 100MHz
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 380mW
Gain Bandwidth Product 100MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 45V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Collector Emitter Saturation Voltage 600mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Height 1mm
Width 1.35mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC847 Original CIs Calientes Especializados 2212
BC847 1E CJ CIs Calientes Especializados 9206
BC847 1F CJ CIs Calientes Especializados 2905
BC847 1G Original CIs Calientes Especializados 2822
BC847 1H Original CIs Calientes Especializados 30242
BC847 200-450 CJ CIs Calientes Especializados 1500000
BC847,215 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2692
BC847,215 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales
BC847,235 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2678
BC847,235 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales

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