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BAW56LT1G Especificaciones técnicas
BAW56LT1G datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matriz de Diodos Rectificadores |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Cut Tape (CT) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | Rectifier Diodes |
Max Power Dissipation | 225mW |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 200mA |
Base Part Number | BAW56L |
Number of Elements | 2 |
Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 2.5μA @ 70V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Max Reverse Leakage Current | 2.4μA |
Max Surge Current | 4A |
Halogen Free | Halogen Free |
Forward Voltage | 1.25V |
Average Rectified Current | 200mA |
Peak Reverse Current | 2.5μA |
Peak Non-Repetitive Surge Current | 4A |
Max Forward Surge Current (Ifsm) | 500mA |
Height | 940μm |
Width | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Diode Element Material | SILICON |
Published | 2001 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Max Operating Temperature | 150°C |
HTS Code | 8541.10.00.70 |
Voltage - Rated DC | 70V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Common Anode |
Diode Type | Standard |
Power Dissipation | 300mW |
Forward Current | 200mA |
Operating Temperature - Junction | -55°C~150°C |
Output Current-Max | 0.1A |
Current - Average Rectified (Io) | 200mA DC |
Max Reverse Voltage (DC) | 70V |
Reverse Recovery Time | 6 ns |
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) | 70V |
Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
Recovery Time | 6 ns |
Length | 2.9mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
BAW56LT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BAW56LT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BAW56" partes
Las siguientes partes incluyen 'BAW56'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BAW56 | Fairchild/ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 140216 |
BAW56 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 1487732 |
BAW56 | ON Semiconductor | Matriz de Diodos Rectificadores | |
BAW56 | Rochester Electronics, LLC | Matriz de Diodos Rectificadores | |
BAW56 ,215 | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 140424 |
BAW56 ,235 | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 10260 |
BAW56 3S | Original | CIs Calientes Especializados | 15500 |
BAW56 A1 | CJ | CIs Calientes Especializados | 3427 |
BAW56 A1T | PH | CIs Calientes Especializados | 3500 |
BAW56 A1W | NXP | CIs Calientes Especializados | 2855 |
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