2SC5231A-9-TL-E Especificaciones técnicas

TRANS NPN BIPO 70MA 10V SMCP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT RF
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 3-SMD, Gull Wing
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 100mW
Transistor Type NPN
Max Collector Current 70mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 10V
Frequency - Transition 7GHz
hFE Min 60
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Power - Max 100mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 135 @ 20mA 5V
Gain 12dB ~ 8.5dB @ 1GHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 2V
Noise Figure (dB Typ @ f) 1dB @ 1GHz
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2SC5200 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5271
2SC5200 2SA1943 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 241
2SC5200 AND 2SA1943 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Especializados 1490
2SC5200-0 IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 5109
2SC5200-O TOSHIBA CIs Calientes Especializados 5279
2SC5200-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 15452
2SC5200-O(Q) DIP Toshiba Semiconductor and Storage CIs Especializados 5205
2SC5200-O(Q)+2SA1943-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Especializados 5000
2SC5200-O(Q)/2SA1943 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 5291
2SC5200-O(Q)/2SA1943-O( TOSHIBA CIs Calientes Especializados 5500

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