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2SA2013-TD-E Especificaciones técnicas
2SA2013-TD-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 7 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 100mA, 2A |
Max Frequency | 360MHz |
Collector Emitter Saturation Voltage | -200mV |
Frequency - Transition | 400MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | -6V |
Height | 1.5mm |
Width | 2.5mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-243AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e6 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Max Power Dissipation | 1.3W |
Terminal Form | FLAT |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 3.5W |
Gain Bandwidth Product | 360MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 4A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Transition Frequency | 360MHz |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Collector Base Voltage (VCBO) | -50V |
hFE Min | 200 |
Length | 4.5mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
2SA2013-TD-E Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para 2SA2013-TD-E
-
Hojas de datos
Otros incluyen "2SA20" partes
Las siguientes partes incluyen '2SA20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2SA2002-T112-E | MITSUBI | CIs Calientes Especializados | 5500 |
2SA2003 | SANKEN | CIs Calientes Especializados | 2526 |
2SA2004 | Panasonic | CIs Calientes Especializados | 697 |
2SA2005 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 30 |
2SA2005E | ROHM | CIs Calientes Especializados | 913 |
2SA2005FU6E | FAIRVIEW | CIs Calientes Especializados | 1038 |
2SA2006 | Original | CIs Calientes Especializados | 907 |
2SA2007 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 852 |
2SA2007E | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2519 |
2SA2007E | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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