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2N7002ET1G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 2.5Ohm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Pin Count | 3 |
Power Dissipation-Max | 300mW Tj |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 1.7 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 26.7pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.81nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 1.2 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 310mA |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Height | 940μm |
Width | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 300mW |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ω @ 240mA, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 260mA Ta |
Rise Time | 1.2ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 4.8 ns |
Threshold Voltage | 1V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 0.26A |
Nominal Vgs | 1 V |
Length | 2.9mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
2N7002ET1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para 2N7002ET1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "2N700" partes
Las siguientes partes incluyen '2N700'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N7000 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 61787 |
2N7000 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2253 |
2N7000 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 61847 |
2N7000 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
2N7000 IC | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 397 |
2N7000 MOS | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 1843 |
2N7000,126 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2787 |
2N7000-D26Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 160397 |
2N7000-D26Z | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
2N7000-D74Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2764 |
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