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2N5551TA Especificaciones técnicas

2N5551TA datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Weight 240mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 160V
Terminal Position BOTTOM
Frequency 300MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 625mW
Gain Bandwidth Product 300MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 160V
Collector Emitter Saturation Voltage 200mV
Frequency - Transition 100MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Height 5.33mm
Width 4.19mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 625mW
Current Rating 600mA
Base Part Number 2N5551
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 160V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 160V
Collector Base Voltage (VCBO) 180V
hFE Min 80
Length 5.2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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2N5551TA Documentos

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Otros incluyen   "2N555"   partes

Las siguientes partes incluyen  '2N555' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N5550 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 88610
2N5550 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N5550 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5550BU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2592
2N5550BU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2525
2N5550BU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5550BU Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N5550G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 757
2N5550G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5550G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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