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2N5551RLRMG Especificaciones técnicas

2N5551RLRMG datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 625mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 300MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 160V
Collector Emitter Saturation Voltage 250mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC 160V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating 600mA
Base Part Number 2N5551
JESD-30 Code O-PBCY-T3
Number of Elements 1
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 200mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 100MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 180V
hFE Min 80
Lead Free Lead Free
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Otros incluyen   "2N555"   partes

Las siguientes partes incluyen  '2N555' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N5550 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 88610
2N5550 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N5550 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5550BU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2592
2N5550BU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2525
2N5550BU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5550BU Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N5550G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 757
2N5550G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5550G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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