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2N5551 Especificaciones técnicas
2N5551 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Part Status | Obsolete |
Max Operating Temperature | 150°C |
Voltage - Rated DC | 160V |
Current Rating | 600mA |
Polarity | NPN |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 350mW |
Gain Bandwidth Product | 300MHz |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 160V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Max Frequency | 300MHz |
Frequency - Transition | 300MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1996 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Max Power Dissipation | 625mW |
Base Part Number | 2N5551 |
Voltage | 160V |
Current | 600mA |
Power - Max | 625mW |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 160V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Collector Emitter Saturation Voltage | 250mV |
Collector Base Voltage (VCBO) | 180V |
hFE Min | 80 |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
2N5551 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para 2N5551
-
Hojas de datos
Otros incluyen "2N555" partes
Las siguientes partes incluyen '2N555'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N5550 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 88610 |
2N5550 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
2N5550 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5550BU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2592 |
2N5550BU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2525 |
2N5550BU | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5550BU | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
2N5550G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 757 |
2N5550G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5550G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales |
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