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2N5550TAR Especificaciones técnicas
2N5550TAR datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Box (TB) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 625mW |
Current Rating | 600mA |
Base Part Number | 2N5550 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 140V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
Transition Frequency | 100MHz |
Max Breakdown Voltage | 140V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago) |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Weight | 240mg |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 140V |
Terminal Position | BOTTOM |
Frequency | 300MHz |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 625mW |
Gain Bandwidth Product | 300MHz |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 140V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 250mV |
Collector Base Voltage (VCBO) | 160V |
hFE Min | 60 |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
2N5550TAR Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para 2N5550TAR
-
Hojas de datos
Otros incluyen "2N555" partes
Las siguientes partes incluyen '2N555'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N5550 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 88610 |
2N5550 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
2N5550 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5550BU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2592 |
2N5550BU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2525 |
2N5550BU | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5550BU | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
2N5550G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 757 |
2N5550G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5550G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales |
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