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2N5401RL1G Especificaciones técnicas
2N5401RL1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago) |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | EUROPEAN PART NUMBER |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 625mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Current Rating | -600mA |
Base Part Number | 2N5401 |
Qualification Status | Not Qualified |
Element Configuration | Single |
Gain Bandwidth Product | 300MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 150V |
Transition Frequency | 100MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 160V |
hFE Min | 50 |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
HTS Code | 8541.21.00.95 |
Voltage - Rated DC | -150V |
Terminal Position | BOTTOM |
Reach Compliance Code | unknown |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 500mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Collector Emitter Saturation Voltage | 500mV |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
2N5401RL1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para 2N5401RL1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "2N540" partes
Las siguientes partes incluyen '2N540'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N5400 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 62869 |
2N5400 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1204 |
2N5400 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5400G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2692 |
2N5400G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
2N5400G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5400RA | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2604 |
2N5400RA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2615 |
2N5400RA | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
2N5400RLRP | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2627 |
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