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PSMN4R3-80ES,127 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8161pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 306W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 111nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
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PSMN4R3-80ES,127 Documentos

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Otros incluyen   "PSMN4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PSMN4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PSMN4R0-25YLC NXP CIs Calientes Especializados 6000
PSMN4R0-25YLC,115 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2624
PSMN4R0-25YLC,115 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
PSMN4R0-30YL NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 1051
PSMN4R0-30YL,115 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2601
PSMN4R0-30YL,115 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
PSMN4R0-30YLD NXP CIs Calientes Especializados 2368
PSMN4R0-30YLD IC NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 465
PSMN4R0-30YLDX Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1209
PSMN4R0-30YLDX Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales

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