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PSMN2R0-30YL,115
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PSMN2R0-30YL,115 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 97W (Tc) |
Package / Case | SC-100, SOT-669 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 12V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'PSMN2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PSMN2R0-25MLDX | Nexperia | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2546 |
PSMN2R0-25MLDX | Nexperia USA Inc. | Transistores MOSFET individuales | |
PSMN2R0-25YLD | Nexperia | CIs Calientes Especializados | 5590 |
PSMN2R0-25YLDX | Nexperia | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2554 |
PSMN2R0-25YLDX | Nexperia USA Inc. | Transistores MOSFET individuales | |
PSMN2R0-30BL,118 | Nexperia | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2625 |
PSMN2R0-30BL,118 | Nexperia USA Inc. | Transistores MOSFET individuales | |
PSMN2R0-30PL | NXP | CIs Calientes Especializados | 14851 |
PSMN2R0-30PL,127 | Nexperia | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2649 |
PSMN2R0-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | Transistores MOSFET individuales |
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