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PMV280ENEAR Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 580mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 1.1A (Ta) 580mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-236AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385 mOhm @ 1.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names 1727-8341-2 934070697215 PMV280ENEAR-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Ta)
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PMV280ENEAR Documentos

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Otros incluyen   "PMV28"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PMV28' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PMV280ENEA Nexperia CIs Calientes Especializados 9000
PMV28UN N CIs Calientes Especializados 133378
PMV28UN ,215 NEXP CIs Calientes Especializados 12781
PMV28UN MOS Nexperia CIs Calientes Especializados 6494
PMV28UN,215 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12350
PMV28UN.215 NXP CIs Calientes Especializados 3000
PMV28UN215 NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 12238
PMV28UNEA NXP CIs Calientes Especializados 24238
PMV28UNEAR Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2625
PMV28UNEAR Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales

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