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PMGD175XNEAX Especificaciones técnicas

MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 252 mOhm @ 900mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names 934070692115
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 81pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 900mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SOT-363
Power - Max 390mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.65nC @ 4.5V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 900mA (Ta) 390mW Surface Mount SOT-363
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Las siguientes partes incluyen  'PMGD1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PMGD130UN NXP CIs Calientes Especializados 17301
PMGD130UN ,115 NEXP CIs Calientes Especializados 3756
PMGD130UN,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 19896
PMGD130UN,115 NXP USA Inc. Matrices de transistores MOSFETs
PMGD130UN,115 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
PMGD175XN NXP CIs Calientes Especializados 17453
PMGD175XN ,115 NEXP CIs Calientes Especializados 4113
PMGD175XN,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3650
PMGD175XN,115 NXP USA Inc. Matrices de transistores MOSFETs
PMGD175XN,115 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs

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