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PHD101NQ03LT,118
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PHD101NQ03LT,118 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | DPAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2180pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 166W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
PHD101NQ03LT,118 Documentos
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Hojas de datos
PHD101NQ03LT,118.pdf
Otros incluyen "PHD10" partes
Las siguientes partes incluyen 'PHD10'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PHD101NQ03LT | NXP | CIs Calientes Especializados | 13133 |
PHD101NQ03LT MOS | PHILIPS | CIs Calientes Especializados | 664 |
PHD101NQ03LT,118 | Nexperia USA Inc. | Transistores MOSFET individuales | |
PHD108NQ0 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2500 |
PHD108NQ03 | PH | CIs Calientes Especializados | 42 |
PHD108NQ03CT | PH | CIs Calientes Especializados | 2894 |
PHD108NQ03LT | NXP | CIs Calientes Especializados | 108078 |
PHD108NQ03LT ,118 | PHILIPS | CIs Calientes Especializados | 2416 |
PHD108NQ03LT MOS | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 524 |
PHD108NQ03LT,118 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2753 |
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