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PHB47NQ10T,118 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 166W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'PHB47' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PHB47NQ10T PHNXP CIs Calientes Especializados 18500
PHB47NQ10T+118 NXP CIs Calientes Especializados 2769
PHB47NQ10T,118 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales

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