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PHB191NQ06LT,118
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PHB191NQ06LT,118 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95.6nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±15V |
Supplier Device Package | D2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7665pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
PHB191NQ06LT,118 Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "PHB19" partes
Las siguientes partes incluyen 'PHB19'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PHB191NQ06LT | PHNXP | CIs Calientes Especializados | 31706 |
PHB191NQ06LT,118 | Nexperia USA Inc. | Transistores MOSFET individuales | |
PHB193NQ06T | PHNXP | CIs Calientes Especializados | 22814 |
PHB193NQ06T,118 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2542 |
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