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PEMD18,115 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 300mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-666
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Otros incluyen   "PEMD1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PEMD1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PEMD10 NXP CIs Calientes Especializados 4330
PEMD10,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2797
PEMD10,115 Nexperia USA Inc. Matrices de transistores BJT
PEMD10/DG NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 8000
PEMD10115 NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 2603
PEMD12 NXP CIs Calientes Especializados 384750
PEMD12,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2778
PEMD12,115 Nexperia USA Inc. Matrices de transistores BJT
PEMD12,315 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2577
PEMD12,315 Nexperia USA Inc. Matrices de transistores BJT

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