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PEMB30,315
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PEMB30,315 Especificaciones técnicas
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "PEMB3" partes
Las siguientes partes incluyen 'PEMB3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PEMB3 | PHILI | CIs Calientes Especializados | 131430 |
PEMB3,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2582 |
PEMB3,115 | Nexperia USA Inc. | Matrices de transistores BJT | |
PEMB30 | NXP | CIs Calientes Especializados | 32000 |
PEMB30 ,115 | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 4400 |
PEMB30,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 4000 |
PEMB30,115 | Nexperia USA Inc. | Matrices de transistores BJT | |
PEMB30,315 | Nexperia USA Inc. | Matrices de transistores BJT |
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