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PDTC114YTVL Especificaciones técnicas

PDTC114YT/SOT23/TO-236AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package TO-236AB
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names 934054701235
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 100mA 230MHz Surface Mount TO-236AB
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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PDTC114YTVL Documentos

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Otros incluyen   "PDTC1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PDTC1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PDTC114E NXP Semiconductors / Freescale CIs Especializados 10219
PDTC114EE SOD523 CIs Calientes Especializados 5811
PDTC114EE,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2580
PDTC114EE,115 NXP USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTC114EE/DG NXP CIs Calientes Especializados 3550
PDTC114EE115 NXP CIs Calientes Especializados 2526
PDTC114EEF PHILIPS CIs Calientes Especializados 4000
PDTC114EETL PHI CIs Calientes Especializados 1217
PDTC114EK NXP CIs Calientes Especializados 11871
PDTC114EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2636

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