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PDTB123YT,215 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 250mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package TO-236AB (SOT23)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Original-Reel®
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PDTB113EK NXP CIs Calientes Especializados 27413
PDTB113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2754
PDTB113EK,115 NXP USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTB113EQAZ Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2702
PDTB113EQAZ Nexperia USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTB113ES,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2592
PDTB113ES,126 NXP USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTB113ET PHILIPS CIs Calientes Especializados 12443
PDTB113ET,215 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2712
PDTB113ET,215 Nexperia USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados

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