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PDTB113EUX Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 1k
Power - Max 300mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 140MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-323-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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PDTB113EUX Documentos

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Otros incluyen   "PDTB1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PDTB1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PDTB113EK NXP CIs Calientes Especializados 27413
PDTB113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2754
PDTB113EK,115 NXP USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTB113EQAZ Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2702
PDTB113EQAZ Nexperia USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTB113ES,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2592
PDTB113ES,126 NXP USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTB113ET PHILIPS CIs Calientes Especializados 12443
PDTB113ET,215 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2712
PDTB113ET,215 Nexperia USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados

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