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PBSS2515VS,115
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PBSS2515VS,115 Especificaciones técnicas
TRANS 2NPN 15V 0.5A SOT666
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 50mA, 500mA |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 420MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para PBSS2515VS,115
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Hojas de datos
PBSS2515VS,115.pdf
Otros incluyen "PBSS2" partes
Las siguientes partes incluyen 'PBSS2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PBSS2515E | NXP | CIs Calientes Especializados | 15803 |
PBSS2515E,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2558 |
PBSS2515E,115 | NXP USA Inc. | Transistores BJT individuales | |
PBSS2515E/DG | NXP | CIs Calientes Especializados | 6426 |
PBSS2515F | PHILIPS | CIs Calientes Especializados | 3376 |
PBSS2515M | NXP | CIs Calientes Especializados | 15329 |
PBSS2515M,315 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2631 |
PBSS2515M,315 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT individuales | |
PBSS2515MB,315 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2571 |
PBSS2515MB,315 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT individuales |
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Marcadores
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