BUK661R8-30C,118 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10918pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 263W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 168nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BUK6607-55C NA CIs Calientes Especializados 3978
BUK6607-55C MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 1344
BUK6607-55C,118 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2788
BUK6607-55C,118 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
BUK6607-75C,118 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2585
BUK6607-75C,118 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
BUK6610-75C NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 569
BUK6610-75C,118 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2597
BUK6610-75C,118 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
BUK661R6-30C,118 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2590

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